Ученые создают сверхтонкую память на квантовых точках

Научный коллектив Института передовых композитов Корейского института науки и технологии сообщил о создании прозрачного и гибкого устройства для хранения данных, основанного на гетерогенной ультратонкой наноструктуре. Статья по теме появилась на страницах издания Composites Part B: Engineering.

Ученые уверены, что ультратонкие материалы открывают дорогу к созданию суперкомпактной памяти, которая будет занимать минимум пространства в электронике будущего. Другое очевидное преимущество ультратонкой памяти — колоссальная плотность хранения информации, потенциально обеспечивающая возможность создания накопителей огромного объема.

Правда, не обошлось и без недостатков — наноматериалы не лучшим образом захватывают носители заряда, переключающие состояние ячеек памяти. Но корейские ученые намерены обойти это, разрабатывая память следующей генерации на основе монослойных нульмерных квантовых точек, которые заключены между изолирующими 2D гексагональными нитридами бора.

Основное достижение авторов новой технологии — укладка квантовых точек на изолирующем наноматериале, а не на проводящем графене, как делалось ранее. Новшество упрощает производство таких наноматериалов, что способствует появлению реальных коммерческих технологий на их основе.